存储器映射
图 4展示GR5526系列SoC的存储器映射。
- RAM存储：0x0010_0000 ～ 0x0017_FFFF或0x2000_0000 ～ 0x2007_FFFF或0x3000_0000 ～ 0x3007_FFFF，共512 KB。
- 0x2000_0000 ～ 0x2007_FFFF：该区域支持位段操作，它对应的位段地址为0x2200_0000 ～ 0x2207_FFFF，该区域可进行数据原子操作。SDK中RW、ZI、HEAP、STACK等变量位于该区域。
- 0x0010_0000 ～ 0x0017_FFFF：由于 Cortex-M4F 总线架构的特点该区域的访问效率高于其他区域，故SDK中RAM_CODE可执行代码位于该区域。
说明：QSPI0/QSPI1/QSPI2/OSPI均支持XIP模式。在这种模式下，可以将Flash或PSRAM的数据空间映射到内存中，方便直接对内存地址进行操作。
- 在外置PSRAM方案中，QSPI1上挂载的外置PSRAM可以与0x2000 0000 ～ 0x2007 FFFF的内存结合，形成一个连续的SRAM地址空间。
- 在内部PSRAM方案中，OSPI上挂载的内部PSRAM可以与0x3000 0000 ～ 0x3007 FFFF存储区结合，形成一个连续的SRAM地址空间。
- Flash存储：0x0020_0000 ～ 0x011F_FFFF或0x0220_0000 ～ 0x031F_FFFF，共16 MB。
- 0x0020_0000 ～ 0x011F_FFFF区域存放代码以及非加密模式下的数据。
- 0x0220_0000 ～ 0x031F_FFFF区域存放加密模式下的数据。
说明：GR5526芯片内部Flash封装为1 MB，地址为0x0020_0000 ～ 0x002F_FFFF。
