PSRAM介绍
GR5526VGBIP 和 GR5526RGNIP SoC 配有使用OSPI 接口进行数据访问的8 MB PSRAM，其地址映射到0x30080000区域，与0x3000 0000 ～ 0x3007 FFFF存储区结合，形成一个连续的SRAM地址空间，用于拓展用户可用SRAM区域。其具备如下特性功能：
- 低功耗特性
- 部分阵列自刷新
- 内置温度传感器的自动温度补偿自刷新（ATCSR）
- 用户可配置的刷新率
- 半睡眠模式下的超低功耗（ULP），保留数据
- 软件复位
- 具有可编程驱动强度的输出驱动器LVCMOS
- 用于写入数据的数据掩码
- 数据选通支持高速读取操作
- 注册可配置的写入和读取初始延迟
- 最大1024字节和最小 2 字节的写入突发长度
- 16 B/32 B/64 B/1 KB 长度的环绕和混合突发
- 线性突发命令
- 行边界交叉（RBX）
- 读取操作可以通过模式寄存器启用
- 不支持RBX 写入
说明：
- GR5526中已经嵌入了PSRAM，但默认情况下，PSRAM被禁用，需要在使用OSPI控制器之前启用它。
- PSRAM功耗优化可以通过调整PSRAM的驱动强度来修改OSPI控制器和PSRAM之间的阻抗匹配。
- 驱动强度越低，功耗越低。波形趋于三角波，波形质量较差。
- 驱动强度越大，功耗越高。波形趋于方波，波形质量较好。
- 过大的驱动强度可能会导致系统崩溃，应根据应用场景选择合适的驱动强度。
- MCU读访问OSPI的效率较低，故建议使用DMA对齐方式访问OSPI。
