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刷屏要素

GR5525为穿戴类产品提供了丰富的刷屏要素，如下表所示。

表 2 GR5525刷屏要素概览1
系统主频 X-Flash 外设QSPI频率 SRAM QSPI0 QSPI1

96 MHz

512 KB/1 MB或外接Flash

48 MHz

256 KB
  • NOR Flash（XIP读）
  • Nand-Flash（寄存器模式访问）
  • Q-PSRAM（XIP读写）
  • Display
  • DMA0（寄存器模式）
  • DMA0/DMA1（XIP模式）
  • 动态自适应端序
  • 多种静态端序
  • 1/2/4线模式
  • NOR Flash（XIP读）
  • Nand-Flash（寄存器模式访问）
  • Q-PSRAM（XIP读写）

  • Display

  • DMA0/DMA1（寄存器模式）
  • DMA0/DMA1（XIP模式）
  • 动态自适应端序

  • 多种静态端序

  • 1/2/4线模式
表 3 GR5525刷屏要素概览2
QSPI2 DMA SPIM DSPI
  • NOR Flash（XIP读)
  • Nand-Flash（寄存器模式访问）
  • Q-PSRAM（XIP读写）

  • Display

  • DMA1（寄存器模式）
  • DMA0/DMA1（XIP模式）
  • 动态自适应端序
  • 多种静态端序
  • 1/2/4线模式
  • 2个实例
  • Linked List
  • Scatter
  • Gather
  • 高FIFO

48 MHz

48 MHz

主要的刷屏要素分类如下：

  1. 算力提供
    1. CPU
  2. 素材/纹理数据持久化存储
    1. NOR Flash
    2. Nand Flash
    3. XQSPI Flash（代码空间剩余部分，可部分用作数据存储空间）
  3. 计算及缓存空间
    1. 256 KB片内SRAM
    2. 最大外扩512 Mbit QSPI PSRAM 存储空间
  4. 数据传输增强/帧率加速
    1. DMA0/DMA1
  5. 显示接口（涵盖MIPI DBI Type-C接口）
    1. QSPI接口
    2. SPI Master接口
    3. Display SPI接口（3-wire/4-wire SPI）

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