Mirror模式的RAM布局

图 10为Mirror模式的典型RAM布局，开发者可以根据产品需求对其进行修改。

Mirror模式布局允许在RAM中执行Application的代码。芯片上电之后，会进入冷启动流程。Bootloader会将Application的代码从Flash中复制到名为App Code Execution Region的RAM段。睡眠模式的芯片被唤醒后进入热启动流程。为减少热启动时间，Bootloader不会重新复制Application的代码到名为App Code Execution Region的RAM段中。

App Code Execution Region段的起始位置由custom_config.h中的宏APP_CODE_RUN_ADDR决定。开发者需要根据Application的.data和.bss实际使用情况，来确定代码运行地址APP_CODE_RUN_ADDR的值，避免与低地址处的.bss段或高地址处的Call Stack段地址重叠。开发者可根据.map文件来获得RAM各段的分布情况。

建议开发者使用RAM Aliasing Memory地址（0x0080_0000 ～ 0x0083_FFFF）来设置APP_CODE_RUN_ADDR。若出现RAM段重叠，在工程构建时会出现error并提示重叠位置，帮助开发者确认并快速定位RAM段重叠情况。