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GR5515I0ND和GR5515I0NDA外置Flash方案中,睡眠功耗异常

  • 问题描述

    在GR5515I0ND和GR5515I0NDA外置Flash方案中,使用芯片内部IO_LDO给外置Flash供电,当VBATL和IO_LDO之间的压降较小时(<100 mV),会出现漏电导致功耗偏高的问题。

  • 问题原因

    当VBTAL和IO_LDO之间的压降较小时(<100 mV),由于芯片内部引脚状态设计问题,会出现漏电。

  • 问题影响

    芯片睡眠期间功耗增加。

  • 推荐方案

    当外置Flash要求的供电电压与VBATL接近时(压差<100 mV),硬件设计电路上必须将VIO_LDO_OUT引脚连接到VBATL,使用VBATL给Flash供电。如下为两种应用场景的解决方案示例:

    • VBTAL为3.3V,GR5515I0ND和GR5515I0NDA外置Flash的供电电压要求为3.3V时,硬件设计电路需将VIO_LDO_OUT连接到VBATL,不能使用IO_LDO内部供电的方式。
    • VBTAL为3.3V,GR5515I0NDA外置Flash的供电电压要求为1.8V时,可以使用IO_LDO内部供电的方式。
说明:

GR551x SDK 1.6.06及后续版本均支持该推荐方案。

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