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在GR5515I0ND和GR5515I0NDA外置Flash方案中，使用芯片内部IO_LDO给外置Flash供电，当VBATL和IO_LDO之间的压降较小时（<100 mV），会出现漏电导致功耗偏高的问题。

当VBTAL和IO_LDO之间的压降较小时（<100 mV），由于芯片内部引脚状态设计问题，会出现漏电。

芯片睡眠期间功耗增加。

当外置Flash要求的供电电压与VBATL接近时（压差<100 mV），硬件设计电路上必须将VIO_LDO_OUT引脚连接到VBATL，使用VBATL给Flash供电。如下为两种应用场景的解决方案示例：

• VBTAL为3.3V，GR5515I0ND和GR5515I0NDA外置Flash的供电电压要求为3.3V时，硬件设计电路需将VIO_LDO_OUT连接到VBATL，不能使用IO_LDO内部供电的方式。
• VBTAL为3.3V，GR5515I0NDA外置Flash的供电电压要求为1.8V时，可以使用IO_LDO内部供电的方式。