特性

• 集成控制器和主机层的低功耗蓝牙5.1收发器
  • 支持数据传输速率：1 Mbps、2 Mbps、LR（500 kbps、125 kbps）
  • 发射功率：-20 dBm ～ +7 dBm
  • -96 dBm接收灵敏度（1 Mbps模式下）
  • -93 dBm接收灵敏度（2 Mbps模式下）
  • -99 dBm接收灵敏度（LR 500 kbps模式下）
  • -102 dBm接收灵敏度（LR 125 kbps模式下）
  • 发射功耗：5.6 mA @ 0 dBm，1 Mbps
  • 接收功耗：4.8 mA @ 1 Mbps
• 内置ARM® Cortex®-M4F 32位微处理器，支持浮点运算
  • 时钟频率可达64 MHz
  • 内置内存保护单元（MPU），提供8个可编程的区域
  • 浮点运算器（FPU）
  • 内置嵌套矢量中断控制器（NVIC）
  • 不可屏蔽中断（NMI）输入
  • 串行调试（SWD），提供6个断点、2个监视点和1个时间戳计数器
  • 在3.3 V、64 MHz条件下，微处理器运行在Flash上的功耗为51 µA/MHz
• 片上存储
  • GR5515系列芯片采用256 KB SRAM（4个8 KB的SRAM内存块和7个32 KB的SRAM内存块）；GR5513芯片采用128 KB SRAM（4个8 KB的SRAM内存块和3个32 KB的SRAM内存块）；均支持备份
  • 8 KB Cache SRAM，支持备份
  • Stack ROM（包含Boot ROM和BLE Stack）
  • GR5515系列芯片采用1 MB内部QSPI Flash，GR5513芯片采用512 KB内部QSPI Flash（例外：GR5515I0NDA使用外部QSPI Flash；GR5515IENDU采用512 KB内部Flash）
• 数字外设
  • 1个通用DMA引擎，支持8路通道和16个握手接口
• 模拟外设
  • 单个13位逐次逼近式ADC（SNSADC），采样率1 Msps，最多可支持5路外部I/O通道与3路内部信号通道
  • 内置温度和电压传感器
  • 低功耗比较器，支持从深度睡眠模式唤醒
• 灵活的串行外设
  • 2路QSPI接口，最高达32 MHz
  • 2个UART模块，速率最高可达4 Mbps，均支持流量控制，仅UART0支持DMA
  • 2个I2C模块用于支持外设通信，传输速率最高可达2 MHz
  • 2路SPI接口（1路SPI Master接口，1路SPI Slave接口），用于主控通信，最高达32 MHz
  • 2路I2S接口（1路I2S Master接口，1路I2S Slave接口）
  • 1路ISO7816 接口
• 安全
  • 提供完善的安全计算引擎：
    • AES 128-bit/192-bit/256-bit对称加密（ECB和CBC）
    • HMAC-SHA256哈希加密算法
    • PKC
    • TRNG
  • 提供全面的安全运行机制：
    • 安全启动
    • 加密固件直接从Flash运行
    • 密钥加密后存储至eFuse中
    • 区分应用数据秘钥与固件秘钥，支持一机一密
• I/O外设
  • 共计39个I/O引脚
    • 26个GPIO
    • 8个AON I/O，支持从深度睡眠模式唤醒
    • 5个MSIO，可配置为数字/模拟信号接口
• 定时器
  • 2个32位通用定时器模块
  • 1个定时器模块，包含2个32位/16位可编程递减计数器
  • 1个内部睡眠定时器，可将设备从深度睡眠模式唤醒
  • 2个PWM模块，各支持3路通道，支持边缘对齐模式与中间对齐模式
  • 1个RTC，可用作日历定时器
  • 1个AON WDT，可在系统睡眠和Active状态下工作
• 电源管理
  • 片内DC-DC转换器，为RF模拟模块与芯片Core LDO供电
  • 片内I/O LDO稳压器，为I/O供电，也可为外围器件供电，最大驱动能力为30 mA
  • 可编程的掉电检测（BOD复位和BOD中断）阈值电压
  • 电源电压：2.2 V ～ 3.8 V；当GR5515I0NDA选择外部高压Flash时，供电电压必须等于外部QSPI Flash的工作电压
  • I/O电压：1.8 V ～ 3.3 V（典型值）；当GR5515I0NDA/GR5515IENDU/GR5513BENDU Flash使用高压供电时，应用电路中必须将VIO_LDO_OUT的引脚连接到VBATL
• 低功耗模式
  • Deep Sleep模式：2.7 µA（典型值），此时256 KB SRAM处于保持状态
  • Ultra Deep Sleep模式：1.8 µA（典型值）；无SRAM备份
  • OFF模式：0.15 µA（典型值）；除VBAT外均断电，芯片处于复位模式
• 封装类型
  • QFN56：7 mm x 7 mm，间距0.40 mm
  • BGA68：5.3 mm x 5.3 mm，间距0.50 mm
  • BGA55：3.5 mm x 3.5 mm，间距0.40 mm
  • QFN40：5 mm x 5 mm，间距0.40 mm
• 工作温度范围：-40°C ～ +85°C