外部Flash
GR5515I0NDA支持外部高压（典型值3.3 V）和低压（典型值1.8 V）Flash，基于GR5515I0NDA需满足的电气特性和功能特性参数，GR5515I0NDA推荐的外部Flash参考选型如表 18和表 19所示。
| Flash型号 | 厂商 | Flash容量 | 电压范围（V） |
|---|---|---|---|
| P25Q128H | Puya（普冉） | 128 Mb | 2.30 ～ 3.60 |
| W25Q64JV | Winbond（华邦） | 64 Mb | 2.70 ～ 3.60 |
| XM25QH64A | XMC（新芯） | 64 Mb | 2.30 ～ 3.60 |
| XT25F64B | XTX（芯天下） | 64 Mb | 2.70 ～ 3.60 |
| Flash型号 | 厂商 | Flash容量 | 电压范围（V） |
|---|---|---|---|
| P25Q128L | Puya（普冉） | 128 Mb | 1.65 ～ 2.00 |
| XT25Q64D | XTX（芯天下） | 64 Mb | 1.65 ～ 2.10 |
说明：
- GR551x SDK 1.6.11及之后版本支持低压Flash（典型I/O电压为1.8 V）。GR5515I0NDA支持外接低压和高压Flash，该芯片如选择外接高压Flash，需通过GRPLT工具对eFuse进行相应的设置。
- 由于外置Flash支持情况不同，部分Flash无法支持64 MHz速率读取，因此可根据Flash访问速率需求降低QSPI速率。
更多GR5515I0NDA外部Flash选型信息，可参考GR5515I0NDA外部Flash选型指导手册。
