特性

• 数据传输速率：1 Mbps、2 Mbps、Long Range（500 kbps、125 kbps）
• 发射（TX）功率：–20 dBm ～ +7 dBm
• 接收（RX）灵敏度：
  • –97 dBm（1 Mbps模式下）
  • –93 dBm（2 Mbps模式下）
  • –101 dBm（Long Range 500 kbps模式下）
  • –103 dBm（Long Range 125 kbps模式下）
• 3.3 V VBAT输入模式下功耗：
  • TX功耗：6.3 mA @ 0 dBm输出功率（64 MHz系统时钟）
  • RX功耗：5.3 mA @ 1 Mbps（64 MHz系统时钟）

• 时钟频率高达96 MHz
• 内置内存保护单元（MPU），提供8个可编程的区域
• 支持浮点运算单元（FPU）
• 内置嵌套矢量中断控制器（NVIC）
• 支持不可屏蔽中断（NMI）输入
• 支持串行调试（SWD），提供16个断点、2个监视点和1个时间戳计数器
• 在3.3 V、64 MHz HFXO条件下，从Flash运行CoreMark的功耗：56 µA/MHz

• 256 KB数据RAM，支持数据保持
• 8 KB指令Cache RAM，支持数据保持
• Stack ROM（包含启动流程和蓝牙协议栈）
• 内置1 MB QSPI Flash（GR5525IENI为512 KB，GR5525I0NI为外接Flash）

• 2个通用DMA引擎，分别支持6个通道以及多达16个可编程请求和触发源

• 1个13位感测ADC，支持1 Msps采样率和多达11个通道（8个外部I/O通道和3个内部信号通道）
• 内置晶圆温度传感器和电压传感器
• 低功耗比较器，支持从睡眠模式唤醒设备

• 4个UART模块，传输速率高达2 Mbps，均支持流量控制与IrDA红外传输协议
• 4个I2C模块，支持外设通信，传输速率高达3.4 MHz，可配置为主/从设备
• 2路I2S接口（1路I2S Master接口，1路I2S Slave接口）
• 1路PDM接口，支持硬件采样率转换器
• 2路SPI接口（1路8位/16位/32位SPI Master接口，1路SPI Slave接口），用于主机通信
• 1路DSPI接口，用于外接显示屏，支持MIPI DBI Type-C接口协议
• 3路QSPI接口，传输速率高达48 MHz，支持内存映射，可快速访问外接NOR Flash

• 提供完善的安全计算引擎：
  • AES 128位/192位/256位对称加密（ECB和CBC）
  • HMAC-SHA256哈希加密算法
  • PKC
  • TRNG
• 提供全面的安全运行机制：
  • 安全启动
  • 加密固件直接从Flash运行
  • 密钥加密后存储至eFuse中
  • 应用数据密钥不同于固件密钥，支持一机一密

• 多达50个可复用的I/O引脚
  • 多达34个GPIO，支持上/下拉电阻配置
  • 多达8个AON I/O，支持从睡眠模式唤醒设备
  • 多达8个MSIO，可配置为数字/模拟信号接口

• 2个32位通用定时器
• 1个双路定时器，包含2个可编程32位/16位递减计数器
• 1个睡眠定时器，可将设备从睡眠模式唤醒
• 2个3通道PWM模块，支持边沿对齐模式与中间对齐模式
• 2个实时计数器（RTC）：1个RTC和1个用于实现Calendar

• 片内DC-DC转换器，为RF模拟模块及芯片CORE_LDO供电
• 片内I/O LDO稳压器，为I/O及外围器件供电
• 可编程的欠压检测器（BOD）阈值电压
• 供电电压：2.4 V～3.8 V
• I/O电压：1.8 V～3.6 V

• Sleep模式：7.3 µA（典型值）；此时VBAT输入电压为3.3 V，通过AON域唤醒源唤醒系统，LFXO_32K运行
• Ultra Deep Sleep模式：5.0 µA（典型值）；此时无存储器数据保持，通过睡眠定时器或AON GPIO唤醒系统
• OFF模式：200 nA（典型值）；芯片处于复位模式

工作温度：–40°C ～ +85°C

• QFN68：7.0 mm * 7.0 mm * 0.85 mm，焊盘间距0.35 mm
• QFN56：7.0 mm * 7.0 mm * 0.75 mm，焊盘间距0.4 mm