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特性

  • 集成控制器和主机层的低功耗蓝牙5.3收发器
    • 支持数据传输速率:1 Mbps、2 Mbps、LR(500 kbps、125 kbps)
    • 发射功率:-20 dBm ~ +7 dBm
    • -98 dBm接收灵敏度(1 Mbps模式下)
    • -94 dBm接收灵敏度(2 Mbps模式下)
    • -101 dBm接收灵敏度(LR 500 kbps模式下)
    • -104 dBm接收灵敏度(LR 125 kbps模式下)
    • 发射功耗:4.0 mA @ 0 dBm,1 Mbps
    • 接收功耗:3.5 mA @ 1 Mbps
    • AoA/AoD寻向技术,LE Audio 同步通道
  • 内置ARM® Cortex®-M4F 32位微处理器,支持浮点运算
    • 时钟频率可达96 MHz
    • 内置内存保护单元(MPU),提供8个可编程的区域
    • 浮点运算器(FPU)
    • 内置嵌套矢量中断控制器(NVIC)
    • 不可屏蔽中断(NMI)
    • 串行调试(SWD),提供16个断点、2个监视点和1个时间戳计数器
    • 在3.3 V、96 MHz条件下,微处理器运行在Flash上的功耗为51 µA/MHz
  • 片上存储
    • 512 KB Data SRAM,支持数据保持
    • 8 KB Cache SRAM,支持数据保持
    • Stack ROM(包含Boot ROM和BLE Stack)
    • 1 MB内置QSPI Flash
    • 8 MB内置PSRAM(仅限GR5526VGBIP与GR5526RGNIP)
  • 数字外设
    • 1个通用DMA引擎,支持8路通道和16个握手接口
    • USB 2.0 全速控制器(12 Mbps),带片上PHY与专用DMA控制器
    • 内置OSPI DDR接口,支持连接8 MB内置PSRAM,最高传输速率可达48 MHz(仅限GR5526VGBIP与GR5526RGNIP)
  • 模拟外设
    • 单个13位逐次逼近式ADC(SNSADC),采样率1 Msps,最多可支持8路外部I/O通道与3路内部信号通道
    • 内置温度和电压传感器
    • 低功耗比较器,支持从深度睡眠模式唤醒
  • 灵活的串行外设
    • 6个UART模块,速率最高可达4 Mbps,均支持流量控制与IrDA红外传输协议
    • 6个I2C模块用于支持外设通信,传输速率最高可达3.4 MHz
    • 2路SPI接口(1路8位/16位/32位SPI Master接口,1路SPI Slave接口),用于主控通信
    • 2路I2S接口(1路I2S Master接口,1路I2S Slave接口)
    • PDM接口,带硬件采样率转换器
    • 1路ISO7816 接口
  • 显示/图像
    • 2.5D GPU硬件加速器(仅GR5526VGBIP与GR5526RGNIP)
    • 1路双线SPI传输接口(DSPI),支持MIPI DBI Type-C接口
    • 3路QSPI,最高速率可达48 MHz;连接外部NOR Flash时支持通过内存映射直接访问
    • 显示控制(DC)模块,支持MIPI DBI Type-C接口;集成2D图像融合功能(仅GR5526VGBIP与GR5526RGNIP)
  • 安全
    • 提供完善的安全计算引擎:
      • AES 128-bit/192-bit/256-bit对称加密(ECB和CBC)
      • HMAC-SHA256哈希加密算法
      • PKC
      • TRNG
    • 提供全面的安全运行机制:
      • 安全启动
      • 加密固件直接从Flash运行
      • 密钥加密后存储至eFuse中
      • 区分应用数据秘钥与固件秘钥,支持一机一密
  • I/O外设
    • 共计50个I/O引脚
      • 34个GPIO
      • 8个AON I/O,支持从深度睡眠模式唤醒
      • 8个MSIO,可配置为数字/模拟信号接口
  • 定时器
    • 2个32位通用定时器模块
    • 1个定时器模块,包含2个32位/16位可编程递减计数器
    • 1个内部睡眠定时器,可将设备从深度睡眠模式唤醒
    • 2个PWM模块,各支持3路通道,支持边缘对齐模式与中间对齐模式
    • 2个RTC:1个日历定时器,1个RTC
  • 电源管理
    • 片内DC-DC转换器,为RF模拟模块与芯片Core LDO供电
    • 片内I/O LDO稳压器,为I/O供电,也可为外围器件供电,最大驱动能力为30 mA
    • 可编程的掉电检测(BOD)阈值电压
    • 电源电压:2.4 V~4.35 V
    • I/O电压:1.8 V~3.6 V
  • 低功耗模式
    • 睡眠模式:3.3 µA(典型值),此时VBAT输入电压为3.3 V,128 KB SRAM处于保持状态,LFXO_32K关闭;AON域8个唤醒源均可唤醒系统
    • Ultra deep sleep模式:2.4 µA(典型值);除AON域外的内部耗电模块(包含SRAM)与LFXO_32K均停止;支持通过睡眠定时器和AON GPIO唤醒
    • OFF模式:200 nA(典型值),除VBAT外均断电,芯片处于复位模式
  • 封装类型
    • BGA83:4.3 mm x 4.3 mm x 0.96 mm,间距0.4 mm
    • QFN68:7.0 mm x 7.0 mm x 0.85 mm,间距0.35 mm
  • 工作温度范围:-40°C ~ +85°C

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