RAM存储映射
GR5525的RAM为256 KB，起始地址为0x2000_0000，由8个内存块（RAM Block）组成（前4个内存块的大小均为16 KB，第5个和第6个内存块大小为32 KB，最后的2个内存块大小为64 KB）。每个RAM内存块均可由软件独立打开/关闭电源。
GR5525为起始地址0x2000_0000的RAM提供一个起始地址为0x0010_0000的Alias Memory，见图 4。
- 起始地址为0x2000_0000区域支持位段操作，它对应的位段起始地址是0x2200_0000。
- 由于 Cortex®-M4F总线架构的特点起始地址为0x0010_0000区域的访问效率高于其他区域，故代码的运行地址在0x0010_0000区域地址范围，可以加快运行速度。
- GR5525 SDK中RW、ZI、HEAP、STACK使用0x2000_0000区域的RAM，RAM_CODE可执行代码使用0x0010_0000区域的RAM。
256 KB RAM存储布局如图 8所示：
程序运行模式可配置为Execute in Place（XIP）模式或Mirror模式。详细的配置方法参考配置custom_config.h中的APP_CODE_RUN_ADDR。这两种运行模式有不同的RAM布局。
| 运行模式 | 描述 |
|---|---|
| XIP模式 |
片上运行模式，用户应用程序存储在片上Flash空间，程序运行空间和加载空间相同。系统完成上电配置后，通过Cache Controller直接从Flash空间取指运行。 |
| Mirror模式 |
镜像运行模式，用户应用程序存储在片上Flash空间，程序的运行空间定义在RAM空间。在程序启动阶段，会在校验完成后，将程序从外部Flash空间加载到RAM空间，并跳转到RAM中进行运行。 |
由于XIP模式运行时需要持续访问Flash，因此该模式下的运行功耗会略高于Mirror模式。
XIP模式的典型RAM布局
图 9为XIP模式的典型RAM布局，开发者可以根据产品需要对其进行修改。
RAM CODE为在RAM中执行的代码，为提高执行效率，建议将其定位到同物理地址的0x0010_0000 Aliasing Memory区域 。
XIP模式布局允许在代码加载处直接执行Application的固件，从而让Application能使用更多RAM内存。在对Flash存储内容进行更新时，会关闭XIP模式，在最小颗粒度的擦写（写256 Bytes、 擦4 KB）期间所有中断无法生成。
- QSPI0/QSPI1/QSPI2均支持XIP模式。在这种模式下，可以将QSPI Flash的数据空间映射到内存中，方便直接对内存地址进行操作。
- 开发者可以根据实际需求合理地添加自定义section，但不要轻易删改SDK默认的Scatter文件布局，如从Scatter文件中删除RAM_CODE段。关于Scatter文件描述，请参考配置存储器布局。
Mirror模式的典型RAM布局
图 10为Mirror模式的典型RAM布局，开发者可以根据产品需求对其进行修改。
Mirror模式布局允许在RAM中执行Application的固件。芯片上电之后，会进入冷启动流程。Bootloader会将Application的固件从Flash中复制到名为App Code Execution Region的RAM段。睡眠模式的芯片被唤醒后进入热启动流程。为减少热启动时间，Bootloader不会重新复制Application的固件到名为App Code Execution Region的RAM段中。
App Code Execution Region段的起始位置由custom_config.h中的宏APP_CODE_RUN_ADDR决定。开发者需要根据Application的.data和.bss实际使用情况，来确定代码运行地址APP_CODE_RUN_ADDR的值，避免与低地址处的.bss段或高地址处的Call Stack段地址重叠。开发者可根据.map文件来获得RAM各段的分布情况。
建议开发者使用RAM Aliasing Memory地址（0x0010_0000 ～ 0x0013_FFFF）来设置APP_CODE_RUN_ADDR。若出现RAM段重叠，在工程构建时会出现error并提示重叠位置，帮助开发者确认并快速定位RAM段重叠情况。
RAM电源管理
每一个RAM Block可以处于三种不同电源状态：Full Power、Retention Power或Power Off。
- Full Power：系统处于Active状态，MCU可以进行RAM Block读写。
- Retention Power：系统进入Sleep状态模式时，RAM Block中储存的数据不会丢失，可供系统从Sleep状态恢复到Active状态使用。
- Power Off：系统关机时，RAM Block会掉电，其存储的数据也会丢失。因此，开发者需提前保存数据。
GR5525的电源管理单元（PMU）在系统启动时默认开启全部RAM电源。GR5525 SDK中也提供了完备的RAM电源管理API，开发者可以根据应用需求，合理配置RAM Block电源状态。
系统启动时，默认启用自动RAM功耗管理模式：根据Application的RAM使用情况，自动进行RAM Block电源状态控制，具体配置规则如下：
- 在系统Active状态下，将未使用的RAM Block设置为“Power Off”状态，使用的RAM Block设置为“Full Power”状态。
- 当系统进入Sleep状态时，将未使用的RAM Block保持为“Power Off”状态，而使用的RAM Block设置为“Retention Power”状态。
在实际应用中，建议RAM配置如下：
- 在Bluetooth LE应用中，RAM_16K_0和RAM_16K_1的前 8 KB预留给Bootloader和Bluetooth LE协议栈使用，Application不可使用。在系统Active下，RAM_16K_0和RAM_16K_1应处于“Full Power”状态；在系统Sleep期间，它们应处于“Retention Power”状态。非Bluetooth LE类MCU应用可以使用这两个RAM Block。
- RAM_16K_2及其他的RAM Block的用途可由Application进行规划定义。通常，将用户数据和需要在RAM中执行的代码段定义在从RAM_16K_2开始的连续区间；将函数调用栈（Call Stack）的栈顶定义在RAM的高端地址。这些RAM Block的电源状态可以全部开启，也可以由Application自行控制。
- 仅当RAM Block处于“Full Power”状态时，MCU才能对其进行访问。
- 更多RAM电源管理API的详细说明，可参考SDK_Folder\components\sdk\platform_sdk.h。
